Ändra sökning
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf
A Simplified Behavioral MOSFET Model Based on Parameters Extraction for Circuit Simulations
Gdansk Univ Technol, Fac Elect & Control Engn, PL-80233 Gdansk, Poland..
Blekinge Tekniska Högskola, Fakulteten för teknikvetenskaper, Institutionen för tillämpad signalbehandling.
2016 (Engelska)Ingår i: IEEE transactions on power electronics, ISSN 0885-8993, E-ISSN 1941-0107, Vol. 31, nr 4, s. 3096-3105Artikel i tidskrift (Refereegranskat) Published
Resurstyp
Text
Abstract [en]

This paper presents results on behavior modeling of a general purpose metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) for simulation of power electronics systems requiring accuracy both in steady state and in switching conditions. Methods of parameters extraction, including nonlinearity of parasitic capacitances and steady-state characteristics, are based on manufacturer datasheet and externally measurable characteristics. The MOSFET template is written in the MAST language and simulated in the SABER simulator. Experimental validation of the N-channel power MOSFET-type IRFP240 (Fairchild Semiconductor) rated at 20 A/200 V is performed in a dc/dc boost converter. The main features of the developed model have been compared with the properties of an analytical MOSFET model and a general MOSFET model embedded to a SABER simulator.

Ort, förlag, år, upplaga, sidor
2016. Vol. 31, nr 4, s. 3096-3105
Nyckelord [en]
Behavioral model, capacitance-voltage characteristics, circuit simulation, MOSFETs, parameter extraction, semiconductor device modeling
Nationell ämneskategori
Signalbehandling
Identifikatorer
URN: urn:nbn:se:bth-11343DOI: 10.1109/TPEL.2015.2445375ISI: 000365953100036OAI: oai:DiVA.org:bth-11343DiVA, id: diva2:890749
Tillgänglig från: 2016-01-04 Skapad: 2016-01-04 Senast uppdaterad: 2017-12-01Bibliografiskt granskad

Open Access i DiVA

Fulltext saknas i DiVA

Övriga länkar

Förlagets fulltext

Personposter BETA

Kulesza, Wlodek J.

Sök vidare i DiVA

Av författaren/redaktören
Kulesza, Wlodek J.
Av organisationen
Institutionen för tillämpad signalbehandling
I samma tidskrift
IEEE transactions on power electronics
Signalbehandling

Sök vidare utanför DiVA

GoogleGoogle Scholar

doi
urn-nbn

Altmetricpoäng

doi
urn-nbn
Totalt: 121 träffar
RefereraExporteraLänk till posten
Permanent länk

Direktlänk
Referera
Referensformat
  • apa
  • ieee
  • modern-language-association-8th-edition
  • vancouver
  • Annat format
Fler format
Språk
  • de-DE
  • en-GB
  • en-US
  • fi-FI
  • nn-NO
  • nn-NB
  • sv-SE
  • Annat språk
Fler språk
Utmatningsformat
  • html
  • text
  • asciidoc
  • rtf